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    英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

    2021-04-01
    來源:英飛凌

    【2021年4月1日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性靜態RAM(nvSRAM)。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業規格的認證,支持苛刻環境下的非易失性代碼存儲和數據記錄應用,包括航天和工業應用。 

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    256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝,符合MIL-PRF-38535 QML-Q規格(-55°C至125°C)和英飛凌的工業標準(-40 °C至85°C)。5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和導航系統以及工業高爐和鐵路控制系統的引導代碼、數據記錄和校準數據存儲。英飛凌還提供晶圓銷售,以支持封裝系統。 

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    Infineon Technologies LLC航天與國防業務副總裁Helmut Puchner表示:“新一代nvSRAM擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領域的領導地位。我們nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規范的高可靠性工業用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環境提供解決方案?!?/p>

    英飛凌的nvSRAM技術將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術相結合。在正常工作條件下,nvSRAM的作用類似于傳統的異步SRAM。斷電時,nvSRAM會自動將SRAM數據的副本保存到非易失性存儲器中,該數據的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器。

    供貨情況

    現在可以訂購256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM。

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