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    意法半導體推出新的射頻LDMOS功率晶體管

    2021-08-13
    來源:意法半導體
    關鍵詞: 意法半導體 晶體管

      中國,2021年8月13日--意法半導體的STPOWER LDMOS晶體管產品家族新最近新增多款產品,該產品家族有三個不同的產品系列,均是針對各種商用和工業用射頻功率放大器(PA)優化設計。

      STPOWER LDMOS的產品特色是高能效和低熱阻,封裝芯片可處理高射頻功率,兼備短導通溝道和高擊穿電壓,這些特點使射頻功率放大解決方案具有成本效益、低功耗和高可靠性。

      新的STPOWER LDMOS IDCH和IDDE兩個系列是28V/32V共源N溝道增強式橫向擴散金屬氧化物場效應射頻功率晶體管,擴大了產品的目標應用范圍。IDCH系列的輸出功率是8W到300W,為最高工作頻率4GHz的應用專門設計,包括2.45GHz工業、科學和醫療(ISM)設備、無線基礎設施、衛星通信、航空電子和雷達設備。該系列LDMOS器件適用于所有類型的調制格式。

      IDDE系列包含10W-700W產品,用于頻率高達1.5GHz的商業、工業和科學寬帶通信,可在所有相位承受10:1的負載VSWR(電壓駐波比),適用于所有典型的信號調制格式,也適用于大多數類別的射頻功率放大,包括A類、AB類和C類。高能效可大限度地減少達到目標輸出功率所需電能,降低工作成本和散熱量,簡化熱管理設計,實現更緊湊的系統。

      意法半導體的IDEV系列也推出了新的50V共源N通道增強式橫向場效應射頻功率晶體管。IDEV產品組合的輸出功率范圍是15W到2.2kW,設計用于頻率高達250MHz的工業、科學和醫療設備,包括驅動高功率CO2激光器、等離子體發生器、MRI系統、88MHz-108MHz的廣播調頻無線電發射機,以及頻率高達1.5GHz的航空電子設備和雷達。該系列適用于所有典型調制格式以及A類、AB類和C類功放。

      在高頻(3-30MHz)到250MHz頻率范圍內,性能強大的IDEV系列能夠提供高達2.2kW的連續波(CW)輸出功率,而且只采用一個陶瓷封裝,因此減少了廣播發射機等大功率應用所需的射頻功率晶體管的總數量。能效高于82%,有助于將系統電能需求降至最低水平,并確保系統工作可靠,熱管理設計簡單。

      意法半導體在這三個產品系列內總共推出了30款新的STPOWER RF LDMOS產品 ,采用工業標準封裝。

    ST新聞稿2021年8月13日——意法半導體推出新的射頻LDMOS功率晶體管 r1.jpg




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